變頻抗干擾介質(zhì)損耗測試儀廠家

變頻抗干擾介質(zhì)損耗測試儀廠家

產(chǎn)品簡介：

介質(zhì)損耗測試儀用于現(xiàn)場抗干擾介損測量，或試驗室精密介損測量。儀器為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置介損電橋、變頻電源、試驗變壓器和標準電容器等。采用變頻抗干擾和傅立葉變換數(shù)字濾波技術(shù)，全自動智能化測量，強干擾下測量數(shù)據(jù)非常穩(wěn)定。測量結(jié)果由大屏幕液晶顯示，自帶微型打印機可打印輸出。

工作原理：

在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當電介質(zhì)上施加交流電壓時，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測量線路包括一標準回路（Cn）和一被試回路（Cx），如圖1所示。標準回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標準電容器與測量線路組成，被試回路由被試品和測量線路組成。測量線路由取樣電阻與前置放大器和A／D轉(zhuǎn)換器組成。通過測量電路分別測得標準回路電流與被試回路電流幅值及其相位等，再由單片機運用數(shù)字化實時采集方法，通過矢量運算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。儀器內(nèi)部已經(jīng)采用了抗干擾措施，保證在外電場干擾下準確測量。

產(chǎn)品特點：

1、超大液晶中文顯示

操作簡單，儀器配備了的全觸摸液晶顯示屏，超大全觸摸操作界面，每過程都非常清晰明了，操作人員不需要額外的專業(yè)培訓就能使用。輕輕點擊一下就能完成整個過程的測量，是目前非常理想的智能型介損測量設備。

2、海量存儲數(shù)據(jù)

儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲器，保存數(shù)據(jù)200組，能將檢測結(jié)果按時間順序保存，隨時可以查看歷史記錄，并可以打印輸出。

3、科學先進的數(shù)據(jù)管理

儀器數(shù)據(jù)可以通過U盤導出，可在任意一臺PC機上通過我公司軟件，查看和管理數(shù)據(jù)。

4、多種測試模式

儀器使用內(nèi)高壓、內(nèi)標準的方式測試，正接法、反接法、自激法。

5、CVT測試一步到位

該儀器還可以測試全密封的CVT（電容式電壓互感器）C1、C2的介損和電容量。

6、不拆高壓引線測量CVT

儀器可在不拆除CVT高壓引線的情況下正確測量CVT的介質(zhì)損耗值和電容值。

7、CVT反接屏蔽法測量C0

儀器可采用反接屏蔽法測量CVT上端C0的介質(zhì)損耗值和電容值。

技術(shù)參數(shù)：

1、高壓輸出： 0.5 ～10kV，

每一檔增加500V，共有二十檔，容   量：1500VA

2、準 確 度： tgδ: ±(讀數(shù)*1.5%+0.06%)

Cx: ±(讀數(shù)*1.5%+5PF)

3、分 辨 率： tgδ：0.001％   Cx：0.001pF

4、測量范圍： 0.001% ＜  tgδ  ＜ 

              內(nèi)施高壓：3pF～60000pF/10kV  60pF～1µF/0.5kV

              外施高壓：3pF～1.5µF/10kV  60pF～30µF/0.5kV

電    源： AC 220V士10％   50士1Hz
測量方式：a.單頻：45Hz、50Hz、55Hz、60Hz、65Hz

             b.異頻：45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz 自動雙變頻         

7、諧波適應：  ≤3％

8、使用條件：  -15℃－50℃    相對濕度＜80%  

9、外型尺寸： 460（L）×345（W）×345（H）

10、重   量： 35 kg

注意事項：

1、抗干擾介質(zhì)損耗測試儀BS-9000D型必須可靠接地，否則會使測量結(jié)果出現(xiàn)明顯偏差和重復性偏差。
2、用QS1做對比試驗時，請留意QS1的tgδ誤差±0.3%，BR16為±0.1%。
3、請保持接地點良好的導電性，現(xiàn)場試驗時應使接線各個連接點（如掛鉤等）接觸良好，以保證測量數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性。
4、介損測量受試驗方法影響較大，應注意試驗方法對測量結(jié)果的影響。
5、試驗室用標準損耗器鑒定時，應使用全屏蔽的兩頭插頭的電纜連接，否則未屏蔽的導線的附加電容會引起誤差。
6、空氣濕度較大時會使試品表面受潮，介損值會異常增大且不穩(wěn)定，必要時可使用屏蔽環(huán)吸收試品表面泄漏電流。

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